Pols de nitrur de bor

JXC Precision Ceramics Co., Ltd té una experiència reconeguda en el camp de la solució personalitzada de components ceràmics d'alta tecnologia, com ara BN, B4C, AlN. Oferim una àmplia gamma de vaixells d'evaporació d'alt rendiment per a la indústria del xapat, components ceràmics de precisió BN, B4C, AlN a la indústria del xapat, indústria mèdica, electrònica, energia nuclear, generació d'energia de petroli i gas. Des de la seva creació l'any 1999, hem experimentat tres etapes de desenvolupament continu i hem estat enfortint constantment les nostres capacitats d'investigació i desenvolupament cooperatius sobre la base de productes estables per oferir als clients dissenys i productes més professionals.

La pols de nitrur de bor és un material amb excel·lents propietats. Existeix en diverses formes cristal·lines, entre les quals el nitrur de bor hexagonal (h-bn) i el nitrur de bor cúbic (c-bn) són els més comuns. H-bn té una estructura en capes similar al grafit, que mostra un bon aïllament elèctric, conductivitat tèrmica i estabilitat química, i pot mantenir aquestes propietats a altes temperatures. C-bn, d'altra banda, és un material ultradur, en segon lloc només després del diamant en duresa, amb alta conductivitat tèrmica i inercia química.

Nitrur de bor hexagonal
La forma hexagonal, hBN, té propietats òptiques que permeten funcionalitats (nano)fotòniques. Aquesta forma, corresponent al grafit, és la més estable i suau entre els polimorfs BN i, per tant, s'utilitza com a lubricant i additiu en productes cosmètics. A part de la cosmètica, la forma hexagonal s'incorpora a la ceràmica d'alta temperatura, els coixinets autolubricants i l'electrònica.

Nitrur de bor cúbic
Cubic BN, cBN, és isoelectrònic amb diamant. No és tan dur com el diamant, però és més estable tèrmicament i químicament i el procés de fabricació de cBN és similar al dels diamants sintètics. A diferència del diamant, és insoluble en metalls a altes temperatures, el que fa que el cBN sigui útil com a recobriment metàl·lic abrasiu i resistent a l'oxidació. Podeu produir nitrur de bor cúbic a partir de la forma hexagonal, aplicant pressió i calor extremes. Això dóna lloc a cristalls similars als dels diamants.

Wurtzita nitrur de bor
Una altra forma significativa de nitrur de bor és la forma wurtzita (wBN), la mateixa estructura cristal·lina estranyament distorsionada adoptada pel sulfur de cadmi i l'òxid de zinc. Wurtzite BN és similar a la Lonsdaleite, un equivalent de carboni. És tècnicament més difícil que la forma cúbica, tot i que fins ara té aplicacions pràctiques limitades, com ara mecanitzar/tallar/fresar materials ferrosos i de carbur. Es presta al seu ús com a superabrasiu, on té l'avantatge de tenir una estructura que s'afila a mesura que s'utilitza. Recentment, wBN ha cridat una gran atenció per la seva implementació en dispositius òptics i electrònics avançats a causa del seu ampli bandgap, alta conductivitat tèrmica i gran polarització espontània.

Nanotubs de nitrur de bor
De nou, en paral·lel amb el carboni, es poden fer nanotubs a partir de BN (BNNTs), constituint una làmina d'una molècula gruixuda enrotllada per fer un tub. Igual que els nanotubs de carboni, l'equivalent BN és molt fort i lleuger. Tanmateix, a diferència de la versió de carboni, els tubs de nitrur de bor són aïllants, menys reactius químicament i menys susceptibles a la ruptura tèrmica quan s'exposen a altes temperatures. Una possible aplicació futura.

Síntesi de vapor químic
El 1979, Sokolowski va utilitzar amb èxit la tecnologia de plasma polsat per preparar pel·lícules de nitrur de bor cúbic (CBN) a baixa temperatura i baixa pressió. L'equip utilitzat és senzill i el procés és fàcil de realitzar, per la qual cosa s'ha desenvolupat ràpidament. Han sorgit una varietat de mètodes de deposició de vapor. Tradicionalment, es refereix principalment a la deposició de vapor químic tèrmic. El dispositiu experimental es compon generalment d'un tub de quars resistent a la calor i un dispositiu de calefacció. El substrat es pot escalfar mitjançant un forn de calefacció (CVD de paret calenta) o calefacció per inducció d'alta freqüència (CVD de paret freda). El gas de reacció es descompon a la superfície del substrat d'alta temperatura i, al mateix temps, es produeix una reacció química per dipositar una pel·lícula. El gas de reacció és un gas mixt de BCl3 o B2H4 i NH3.

Síntesi hidrotèrmica
Aquest mètode utilitza aigua com a mitjà de reacció a l'entorn de reacció d'alta temperatura i alta pressió a l'autoclau per dissoldre les substàncies normalment insolubles o insolubles, i la reacció també es pot recristal·litzar. La tecnologia hidrotermal té dues característiques, una és la seva temperatura relativament baixa, i l'altra és que es realitza en un recipient tancat per evitar la volatilització dels components. Com a mètode de síntesi a baixa temperatura i baixa pressió, s'utilitza per sintetitzar nitrur de bor cúbic a baixes temperatures.

Síntesi tèrmica de benzè
Com a mètode de síntesi de nanomaterials a baixa temperatura que ha sorgit en els darrers anys, la síntesi tèrmica de benzè ha rebut una atenció generalitzada. A causa de la seva estructura conjugada estable, el benzè és un excel·lent dissolvent per a la síntesi solvotèrmica.

Tecnologia d'autopropagació
L'energia necessària de l'exterior s'utilitza per induir reaccions químiques exotèrmiques elevades, i el sistema reacciona localment per formar un front de reacció química (ona de combustió). La reacció química transcorre ràpidament amb el suport del seu propi alliberament de calor, i l'ona de combustió s'estén per tot el sistema. Tot i que aquest mètode és un mètode de síntesi inorgànica tradicional, només s'ha informat en els últims anys per a la síntesi de nitrur de bor.